“预计到2020年，国际上微电子技术水平将发展到14纳米，我们应该清醒地认识到，核心技术是买不到的，必须靠我们自己，只是一代又一代的引进新的技术是赶不上世界先进水平的。我们研究人员要争口气，否则发达国家在核心技术方面总是要卡我们的脖子。”
这是《论华国信息技术产业发展一书中的原话，而这书发表于2009年。
路阳在穿越前，曾经看到过一条让他震惊的消息，计划用这个主题来做一期视频，遗憾的是文案才写到一半，他便穿越了。
而这条消息跟常江存储有关，那就是常江存储已完成232层NAND闪存量产，领先于三兴、美光、海力士等国外巨头，作为全球第一家实现200层以上NAND闪存量产的企业，2022年，其市场份额还不到5%。
闪存，即FashMry，是一种非易失性记忆体。保存在闪存内部的数据，在断电的情况下，只要保存得当，可以保存10年以上。
我们常用的U盘、各种类型的固态硬盘，手机闪存，相机内存、SD卡，TF卡等等，使用的都是闪存芯片，华国对闪存芯片的使用量早已到达恐怖的量级。
这次的招商会议，常江存储是路阳亲自安排人邀请的，目的有两个，一是完成自己的小愿望，第二个则是测试想系统在半导体芯片的下游应用端，是否管用，目前脑海中的科技树点亮的几乎都是上游的技术。
闪存芯片跟手机芯片不同，并不是制程越高越好，最重要的是保证数据的稳定性，在工艺达到15，16纳米后NAND闪存的可靠性就会断崖式的下跌，所以闪存芯片的发展，靠卷制程的方式提高性能是走不通的。
想要提高固态硬盘的性能，就必须换一种方法，传统的办法是把芯片做小在平面上展开，显然这个办法存在上限，于是就有了3D-NAND堆叠技术，像叠叠乐一样把闪存芯片堆积起来。
这方面各大厂商都有其独家技术，三兴叫做V-NAND，东芝跟闪迪则是用BiCS，路阳记得最清楚的就是常江存储的独家堆叠技术Xtaking，他并不清楚现在的常江存储做到了多少层。
闪存具有存储与读写两个基础功能，其它厂商通常都会把读写单元和存储单元设计在一颗晶圆上，而常江存储走的路与他们都不同。
常江存储非常聪明的在两颗晶圆上制造两种不同的电路，然后再把他们拼接起来，顺便把其中数十亿个金属通道给连好，这样做的优点是显而易见的。
为了保证数据的稳定性，存储单元的制程不能超过16纳米，但是保证数据读写速度的读写单元却要求制程越高越好，这样就造成了设计上的矛盾，Xtaking技术有效的解决了这个矛盾。
在Xtaking技术的帮助下，读写单元和存储单元可以分开来生产，这意味着这两款芯片可以分开来设计与生产，存储单元使用低制程，读写单元使用高制程，最后再将两者连接起来。
常江存储的这套研发方案，不但缩小了单个芯片的面积，让生产的成本降低，同时还改变了整个闪存的生产流程，研发成本与周期都大幅度降低。
招商会第三天，路阳单独约见了常江存储的陈长义，跟他一道前来的还有公司的技术总监周明山，两人怀着好奇的心情走进路阳的办公室。
“陈总您好，久仰大名，这位是？”路阳起身迎接。
陈长义45岁，有过十几年国外半导体企业的工作经历，回国后曾在京大微电子研究所担任副教授，前年开始出来创业，见路阳如此客气，赶紧介绍道。